概述：

一款容量8G的DDR4 SDRAM芯片，具備ODT、數據總線反轉、自刷新、以及TEN等功能。在-55℃ ~ +125℃溫度范圍均可進行工作，具有預充電，最大節能模式等特點。

特性：

?512M×16 8Gb容量

?電壓

- VDD=VDDQ=1.2V(1.14V to 1.26V)

- VPP=2.5V(2.375V to 2.75V)

?數據完整性

- 通過DRAM內置TS自動自刷新（ASR)

- 自動刷新和自刷新模式

? 可靠性與錯誤處理

- 命令/地址奇偶校驗

- 數據總線寫入CRC

- MPR讀出

- 邊界掃描

? 節能高效

- 帶VDDQ終端的POD

- 命令/地址延遲（CAL）

- 最大節能

- 低功耗自動自刷新（LPASR）

? DRAM訪問帶寬

- 按Bank群劃分的獨立IO門控結構

- 按Bank群劃分的獨立IO門控結構

- 自刷新終止

? 信號同步

 - 通過MR設置進行寫電平

 - 通過MPR設置進行讀電平

? 信號完整性

- 內部BREFDQ訓練

- 讀取前導碼訓練

- 減速模式

- 每DRAM可尋址性

- 系統兼容性的可配置DS

- 數據總線反轉（DBI)

- 通過外部接口ZQ引腳（240ohm+/-1%) 對DS/ODT阻抗精度進行ZQ校準

?速度等級：2666Mbps/19-19-19

溫度范圍

- 軍溫級：-55℃～125℃

- 軍級(N1)：-55℃～125℃